這幾天估計(jì)國內(nèi)這些存儲企業(yè)做夢都要笑醒了。

5月21日，國家網(wǎng)信辦網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室表示，美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查，我國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營者應(yīng)停止采購美光公司產(chǎn)品。

也就是說，美光公司的內(nèi)存留有后門，美光公司可以通過這一后門來竊取使用者的數(shù)據(jù)信息。

1

美光是干嘛的

美光科技（Micron Technology）是美國存儲芯片巨頭， 總部位于愛達(dá)荷州首府博伊西市，是1978年由Ward Parkinson、Joe Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman創(chuàng)立，1981年成立自有晶圓制造廠。

在上世紀(jì)80年代，美光科技迅速崛起，成為DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）頭部企業(yè)，到90年代他們又進(jìn)軍NAND閃存領(lǐng)域，后來在2000年以后成為全球最大的NAND供應(yīng)商之一。

2015年，美光科技推出了具有劃時(shí)代意義的3D XPoint技術(shù)，這一技術(shù)被譽(yù)為存儲領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破。

目前，美光是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器，廣泛應(yīng)用于移動、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域。

這其中，DRAM屬于易失性存儲芯片，斷電之后數(shù)據(jù)就會消失，我們最常說的系統(tǒng)內(nèi)存就是DRAM。

而NAND 屬于非易失性存儲芯片，它通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度，斷電之后數(shù)據(jù)也不會丟失，比如數(shù)碼相機(jī)記憶卡、U盤、機(jī)械硬盤和移動硬盤等。

目前，DRAM的市場基本由韓國的三星電子、海力士以及美光科技占據(jù)，而NAND市場則基本由韓國的三星電子、日本的東芝和美光科技把持，不過美光在這兩個(gè)市場中所占份額都相對于前兩名都少得多。

美光于2007年3月21日首次在中國西安成立工廠，主要生產(chǎn)DRAM和NAND存儲器，中國大陸市場也一度成為美光最大的市場之一，在巔峰的2018 年，美光在中國大陸營收額高達(dá) 173.57 億美元（約合人民幣 1182 億元），占到當(dāng)年總收入的 58%。

此后，其在中國大陸的營收規(guī)模、占比逐年下降，據(jù)統(tǒng)計(jì)，美光科技 2022 財(cái)年在中國大陸市場的收入為228 億元人民幣，占比為 10.8%。

就在前不久，美光發(fā)布的 2023 財(cái)年第二季度（截至 2023 年 3 月 2 日）財(cái)報(bào)更加慘烈，財(cái)報(bào)顯示，美光科技的收入為 36.93 億美元，比去年同期下降 52.6%，凈虧損高達(dá) 23.12 億美元，毛利率也從去年同期的47.2%驟降到了-32.7%。

在這種情況下，美光科技宣布2023 財(cái)年資本支出將維持在70 億美元左右，較上一個(gè)財(cái)年下降 40%還多，而且預(yù)計(jì) 2023 年還將裁員 15%。

雖說3月份剛進(jìn)行審查的時(shí)候，有些美媒就跳出來安慰說中國市場只占美光營收的11%巴拉巴拉，然而實(shí)際上這個(gè)數(shù)據(jù)要在20%-25%。

資本的嗅覺往往是最靈敏的，就在中國制裁美光的消息出來之后，美光的股價(jià)直接下跌2.85%，可以說，美光目前的處境非常嚴(yán)峻。

02

美光都做了什么

咱們都知道華為被美國打壓，而比華為更早被美國商務(wù)部列入實(shí)體清單的，一個(gè)是中興通訊，另外一個(gè)就是福建晉華。

福建晉華成立于2016年，是由福建省電子信息集團(tuán)、泉州市金融控股集團(tuán)有限公司、福建省晉江產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立。

當(dāng)時(shí)，臺灣聯(lián)電正在南亞科技研發(fā)32nmDRAM制程，福建晉華想出資3億美元從聯(lián)華那兒采購研發(fā)設(shè)備，然后再給聯(lián)電4億美元當(dāng)技術(shù)研發(fā)費(fèi)用，等開發(fā)出DRAM技術(shù)成果后，歸雙方共有，并轉(zhuǎn)移到晉華量產(chǎn)。

按說這完全是個(gè)正常的技術(shù)合作項(xiàng)目，然而正當(dāng)2017年兩家雄心勃勃準(zhǔn)備大干一場的時(shí)候，美光來攪局了。

美光先是從臺灣的臺中法院起訴從美光跳槽到聯(lián)電的員工，說是從美光竊取了DRAM商業(yè)秘密并泄露給聯(lián)電，而聯(lián)電則表示根本沒這事兒，并保證晉華收到的技術(shù)跟美光沒關(guān)系。

美光看這客場不行啊，干脆轉(zhuǎn)到主場吧，于是，就又向美國加州聯(lián)邦法庭控告晉華和聯(lián)電聯(lián)電對晉華表示自己并不知情，并且保證晉華收到的技術(shù)都是干凈的，和美光沒有關(guān)系。

2018年，美光公司向美國加州聯(lián)邦法庭控告福建晉華公司和聯(lián)電公司，宣稱聯(lián)電竊取其存儲芯片的知識產(chǎn)權(quán)，包括關(guān)鍵技術(shù)，并交給晉華。

當(dāng)時(shí)，美國加州聯(lián)邦法庭本來是把美光的訴訟駁回了，可沒想到美光竟然唆使美國司法部對晉華、聯(lián)電以及晉華總經(jīng)理陳正坤、兩名曾任職瑞晶工程師共三名個(gè)人提起訴訟，指控兩家公司涉嫌竊取美國存儲芯片公司美光科技的知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)機(jī)密。

這直接導(dǎo)致福建晉華被美國商務(wù)部列入出口管制清單，禁止其從美國供應(yīng)商處購買重要的設(shè)備和材料。

美國商務(wù)部宣稱：“福建晉華即將增加DRAM的大量生產(chǎn)能力。這些即將增加的生產(chǎn)能力，有可能是根據(jù)來自美國的技術(shù)，威脅到了美國軍事系統(tǒng)基本供應(yīng)商的長期經(jīng)濟(jì)生存能力”。

這當(dāng)頭一棒讓原本答應(yīng)跟晉華合作的聯(lián)電撤出技術(shù)骨干，終止了DRAM共同開發(fā)計(jì)劃，同時(shí)，歐美半導(dǎo)體設(shè)備廠商也撤走了為晉華提供技術(shù)支持的員工。

這個(gè)無妄之災(zāi)讓晉華錯過了騰飛的最好時(shí)機(jī)，被同年成立的長江存儲和合肥長鑫遠(yuǎn)遠(yuǎn)地甩在了身后。

事實(shí)上，這并不是美光第一次搞這種下三濫的產(chǎn)業(yè)攻勢，早在1985年，美光在日本人身上玩兒過一次了。

當(dāng)時(shí)，日本的存儲芯片勢頭正猛，美光也是先提起訴訟，然后美國商務(wù)部跟進(jìn)發(fā)起對日本傾銷案調(diào)查，迫使日本在1986年簽下終止傾銷并開放日本市場的五年協(xié)定，然后美光趁勢長驅(qū)直入，三年內(nèi)銷售額漲了10倍，賺得盆滿缽滿。

2002年，美國司法部針對DRAM存儲芯片行業(yè)進(jìn)行反壟斷調(diào)查，這個(gè)時(shí)候，美光竟然玩了個(gè)自爆，說自己聯(lián)合了三星、海力士、英飛凌操縱市場價(jià)格，結(jié)果一番騷操作下來，其他家被罰了好幾億美元，美光這邊愣是分毫未動。

好一出百姓的錢三七分成，豪紳的錢如數(shù)奉還的好戲！

不過算下來，這一次是美光第一次借刀殺人在中國大陸市場嘗到了甜頭，接下來，美光就愈發(fā)變本加厲起來。

2019年5月，美國商務(wù)部前腳剛把華為及其70個(gè)相關(guān)聯(lián)的企業(yè)列入實(shí)體清單，美光后腳就宣布停止向華為供貨。

去年10月，美光明確限制向中國出貨可被用于128層及以上3D NAND 、18nm及以下DRAM制造的相關(guān)設(shè)備。要知道當(dāng)年華為巔峰的時(shí)候，僅憑一己之力就為美光貢獻(xiàn)了13%的營收，是美光全球范圍內(nèi)最大的客戶之一。

在美光的努力下，長江存儲和長鑫存儲很快被直接被納入了“未經(jīng)核實(shí)清單”，去年12月15日，長江存儲被正式納入“實(shí)體清單”，這也讓長江存儲痛失iPhone 14系列的全球訂單。

在美光頻頻向中國企業(yè)發(fā)難的背后，是2018到2022年間美光對美國政府的游說。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，這5年間，美光支出了954萬美元用于游說美國政府，希望美國出面打擊中國存儲產(chǎn)業(yè)，其提交的超過170個(gè)游說內(nèi)容中，貿(mào)易、知識產(chǎn)權(quán)、競爭等內(nèi)容都直指中國，與中國相關(guān)的游說內(nèi)容占比高達(dá)67%。

其游說的效果也是立竿見影，去年10月，美國還出臺了對華半導(dǎo)體出口新禁令，不僅涉及先進(jìn)邏輯芯片制造設(shè)備，還涉及存儲芯片制造所需的設(shè)備的限制。

今年1月5日，美國總統(tǒng)拜登簽署通過了《2022年保護(hù)美國知識產(chǎn)權(quán)法案》，該法案授予了總統(tǒng)自由裁量度極大的權(quán)力，去制裁其認(rèn)定為竊取美國在知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域商業(yè)秘密的外國實(shí)體和個(gè)人。

一旦哪個(gè)企業(yè)被認(rèn)定，就至少面臨五項(xiàng)制裁，包括添加到實(shí)體清單、財(cái)產(chǎn)凍結(jié)，出口禁令，禁止美國和國際金融機(jī)構(gòu)貸款，采購制裁以及禁止銀行交易等，堪稱趕盡殺絕。

而這項(xiàng)法案最初正是由美光極力游說的參議院提出，且在“中國問題委員會”成立前夕批準(zhǔn)，對于美光來說，利用美國政府力量消滅在中國的競爭對手，哪怕是將來全面撤出中國，也不會丟掉中國市場。

近幾年，美光經(jīng)過在大陸不斷的裁員、撤離，現(xiàn)在已經(jīng)基本上沒什么資產(chǎn)留在大陸了。

去年年初，美光率先關(guān)停上海DRAM設(shè)計(jì)中心，還通過媒體暗示關(guān)閉設(shè)計(jì)中心與“保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)”有關(guān)。

美光這么吃飯?jiān)义?，為什么直到現(xiàn)在才收拾它呢？主要是因?yàn)楝F(xiàn)在中國有底氣了。

03

打鐵還需自身硬

中國現(xiàn)在的底氣就在長江存儲

長江存儲是紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科投等，于2016年在武漢注冊成立的企業(yè)，專門負(fù)責(zé)武漢國家存儲器項(xiàng)目的運(yùn)營。

在成立伊始，長江存儲就整合了已成立10年的武漢新芯集成電路制造有限公司，成立于2006年的武漢新芯，是湖北省和武漢市進(jìn)軍集成電路制造領(lǐng)域的產(chǎn)物，只不過在交給中芯國際運(yùn)營后，發(fā)展不怎么順利。

2017年11月，央視的《對話》節(jié)目中，首次展示了一顆價(jià)值10億美金的芯片，這是長江存儲的1800位工程師，歷時(shí)兩年打造的32層3D NAND Flash芯片。

眾所周知，要想提高芯片性能，最常見的方法就是提升工藝，比如說從14nm提升到3nm，說白了就是相當(dāng)于在一片布上繡花，針腳越細(xì)，繡的圖案細(xì)節(jié)就能展現(xiàn)得越豐富，這種方法就是平面微縮。

但人們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)工藝提升至15nm左右后，再微縮工藝，會導(dǎo)致數(shù)據(jù)不穩(wěn)定，而NAND是用于SSD等存儲設(shè)備上的，數(shù)據(jù)安全要大于一切，要是數(shù)據(jù)容易出問題，性能再好也白搭。

于是，存儲芯片廠商們就另辟蹊徑，依靠上下堆疊芯片的方式來增大存儲，也就是使芯片結(jié)構(gòu)從以前的2D平面，變成了3D立體，這XX層3D NAND閃存，就代表著這塊芯片堆疊的層數(shù)，層數(shù)越多就代表存儲密度越高，技術(shù)越先進(jìn)。

由于3D NAND Flash的工藝完全是嶄新的，2D時(shí)代的設(shè)備必須全部換新，所以這個(gè)時(shí)候就相當(dāng)于大家都被拉回到同一個(gè)起跑線上了。

盡管當(dāng)時(shí)三星、海力士、美光制造的64層3D NAND Flash芯片已經(jīng)成為主流，并正在研發(fā)96層，但長江存儲仍然成為了全球第5個(gè)能生產(chǎn)3D NAND Flash芯片的廠家。

路再遠(yuǎn)，只要不畏險(xiǎn)途，終會抵達(dá)。

隨后，堆疊技術(shù)不斷迭代升級，2018年，堆疊技術(shù)的“及格線”被拉到了96層，兩年后又被拔到了100層。

而就這期間，長江存儲搞了個(gè)大新聞。

存儲芯片是分為存儲數(shù)據(jù)、讀取/存入數(shù)據(jù)兩個(gè)功能單元的，這兩塊相互獨(dú)立，但又緊密聯(lián)系。

傳統(tǒng)的3D NAND芯片，通常是在同一片晶圓上，把存儲單元和邏輯電路一并加工出來，但隨著層級不斷疊加，外圍邏輯電路的面積會越來越大，到一定層級時(shí)，存儲密度會大幅降低。

長江存儲發(fā)現(xiàn)，雖然存儲數(shù)據(jù)的單元為了防止數(shù)據(jù)出錯，不能提升工藝，但是如果把讀取/存入數(shù)據(jù)的單元工藝進(jìn)行微縮提升，就能大幅度的提升讀取/存入數(shù)據(jù)的速度的，反正這兩部分相互獨(dú)立，那干脆就分開用不同的工藝做就得了。

于是，他們就把存儲單元和讀取/存入數(shù)據(jù)單元分別放在兩片晶圓上加工，前者使用成熟工藝來保證數(shù)據(jù)穩(wěn)定，后者使用先進(jìn)工藝保證讀取/寫入速度，再用數(shù)百萬根金屬通道把兩者聯(lián)通，這就是長江存儲獨(dú)創(chuàng)的Xtacking技術(shù)。

這么一來，不但研發(fā)周期縮短三個(gè)月、生產(chǎn)周期縮短20%，閃存的最高存取速度也大幅提升至DDR4內(nèi)存的水平，Xtacking架構(gòu)的64層存儲密度就能媲美其他廠商的96層。

于是憑借Xtacking術(shù)，長江存儲先是跳過了96層的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，直接從64層升級到128層，直接追平了美光和海力士，然后又繼續(xù)發(fā)力，率先全球量產(chǎn)232層3D NAND。

就在去年底，?？低暟l(fā)布了CC700 2TB固態(tài)硬盤，人們發(fā)現(xiàn)其中存儲顆粒已經(jīng)用上了232層的3D NAND Flash結(jié)構(gòu)，而這正是長江存儲的力作。

更值得欣慰的是，由于長江存儲搞的是從設(shè)計(jì)、制造、封裝測試到銷售全都一手包辦的垂直整合制造模式，這使得產(chǎn)能也牢牢地掌握在我們自己手中。

雖說，現(xiàn)在長江存儲已經(jīng)被美國列入實(shí)體清單，擴(kuò)大產(chǎn)能受到很大影響，但是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等多方已經(jīng)在2月份為長江存儲注資將近500億，估計(jì)很快就會迎來產(chǎn)能爆發(fā)。